Un bilayer di disolfuro di molibdeno con stacking 1H può mantenere un band gap diretto, invece del tipico gap indiretto dei bilayer convenzionali. Lo studio pubblicato su Nature mostra inoltre emissione eccitonica più intensa e maggiore polarizzazione di valle.
Il materiale è stato ottenuto con crescita CVD in due fasi e allineamento atomico verticale. Misure di fotoemissione e calcoli teorici confermano il band gap diretto.
Il risultato può essere utile per optoelettronica e valleytronics, ma riguarda ancora dispositivi sperimentali e non dimostra una tecnologia commerciale pronta.
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Fonte primaria: Stacking-induced direct band gap in CVD-grown 1H MoS2 bilayers, Nature, 23 settembre 2026.
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