Samsung è sulla buona strada per iniziare la produzione di massa delle memorie RAM DDR5 EUV e LPDDR5 EUV entro il prossimo anno. Ma cos’è una RAM EUV?
La tecnologia EUV (extreme ultraviolet lithography), tipo relativamente nuovo di tecnologia, riduce i passaggi ripetitivi del multi-patterning e migliora l’accuratezza di quest’ultima, consentendo prestazioni migliorate e rese maggiori, nonché tempi di sviluppo ridotti. Samsung sono anni che ci lavora, ed è riuscita a convalidare il processo di fabbricazione della memoria DRAM DDR4 abilitata EUV con partner selezionati.
Proprio riguardo a quest’ultimo punto oggi Samsung, sulla sua pagina ufficiale, ha annunciato di aver spedito con successo un milione di primi moduli DRAM DDR4 di classe 10nm (D1x) basati sulla tecnologia ultravioletta estrema (EUV). I nuovi moduli DRAM basati su EUV hanno completato le valutazioni globali dei clienti e apriranno le porte a nodi di processi EUV più all’avanguardia, da utilizzare in applicazioni premium per PC, dispositivi mobili, server aziendali e datacenter.
Sempre sul pezzo, il vicepresidente esecutivo di DRAM Product & Technology, Jung-bae Lee, afferma:
“Con la produzione della nostra nuova DRAM basata su EUV, stiamo dimostrando il nostro pieno impegno nel fornire soluzioni DRAM rivoluzionarie a supporto dei nostri clienti internazionali[…].”
Al riguardo, Samsung prevede di iniziare la produzione in serie delle RAM DDR5 EUV e LPDDR5 entro il 2021 e saranno basate sul suo D1a, un processo di classe 14nm altamente avanzato con strati EUV. Secondo le previsioni questa tecnologia raddoppierà la produttività per-wafer (uscita bit DRAM) rispetto alla tecnologia D1x, il che indica che utilizza geometrie più sottili.
Samsung non ha rivelato se il suo D1a utilizza anche altre innovazioni (oltre a EUVL), come condensatori di celle a pilastro o altre funzioni anticipate dagli analisti di TechInsights.
RAM DDR5 EUV di Samsung: cosa ti devi aspettare
L’uso di questa tecnologia rivoluzionaria consentirà a Samsung di ridurre (o eliminare) l’uso del multi-pattern che, come ti ho detto all’inizio dell’articolo, migliora l’accuratezza e quindi migliora le prestazioni e i rendimenti. Quest’ultimo sarà il beneficiario della produzione di chip RAM DDR5 EUV ad alta capacità e ad alte prestazioni in quanto sono destinati ad aumentare sia le prestazioni, fino a DDR4-6400 che le capacità, fino a 32 Gbps.
Oltre a rivelare i risultati raggiunti nell’EUV, Samsung ha anche affermato che nella seconda metà di quest’anno la sua fabbrica P2 in prossimità di Pyeongtaek, in Corea del Sud, inizierà le attività entro la fine dell’anno realizzando, per l’appunto, le RAM DDR5 EUV.
Tuttavia devi sapere che Samsung non è stata la prima società a testare questa tecnologia, bensì ci sono arrivati prima altri produttori come AMD. Mentre ora si pensa che le CPU AMD Zen 3 siano realizzate utilizzando N7 + di TSMC o il suo nodo di processo N7P, per lungo tempo si è pensato che la società avrebbe sicuramente utilizzato il nodo N7 +, che utilizza la tecnologia EUV.
Le CPU AMD Zen 4 che utilizzano il nuovo nodo di TSMC, un processo da 5nm, potrebbero essere rilasciate già nel 2021, a giudicare dalla roadmap del giorno dell’analista finanziario di AMD e dal sempre impressionante progresso della produzione di TSMC.
Ciò significa che nel 2021 potrai potenzialmente vedere CPU Ryzen 5000 prodotte da EUV in esecuzione insieme alla RAM DDR5 EUV, roba da fantascienza!
In ogni caso, Samsung sembra essere entusiasta del progetto RAM DDR5 EUV e Jung-bae Lee, afferma che
questo importante progresso sottolinea il modo in cui continueremo a contribuire all’innovazione globale attraverso lo sviluppo tempestivo di tecnologie di processori all’avanguardia e prodotti di memoria di prossima generazione per il mercato delle memorie premium.”
Non ci resta che attendere il 2021 e vedere come si volgerà la situazione.
